Октябрь 9th, 2023 
raven000 Благодаря формированию промышленности по изготовлению ж/к дисплеев система образования тонкоплёвечерних транзисторов (TFT, thin-film transistors) пришла далеко вперёд. Пока, этого трудно сказать о изготовлении транзисторов из естественных элементов, которые могли бы добавить тонкоплёвечерним полупроводниковым конструкциям эластичности, вплоть до возможности вытягиваться без поражения. И в случае если со стандартными транзисторами вопрос как-нибудь определяется, но автоэлектроника на гибких подложках не классифицируется чем-нибудь необыкновенным, то с изготовлением энергонезависимой памяти на эластичной пластмассовой либо другой базе пока всё довольно слабо.
Образец упаковки товаров с датчиком температуры и экраном (Thin Film Электроникс)
Многообещающую технологию изготовления NOR- и NAND-флеш на гибких подложках рекомендовал южно-корейский факультет KAIST (Корейский факультет ведущих технологий). Публикация о подготовке размещена в издании Nature Communications. Сделанный с использованием новой технологии образец с массивом памяти NAND показывает трудоспособность при изгибе извива 300 мкм. Длина подложки при этом равна 6 мкм. Источник также разрешает разложение до 2,8 % с сбережением трудоспособности «чипсета» памяти. Прошлые элементы не позволяли вытягивать электронную модель не менее чем на 1 %.
Закрываемый в трубочку массив NAND-флеш (KAIST)
Главная неприятность при изготовлении флеш-памяти на эластичной подложке содержалась в том, что не получалось сделать изолирующие элементы синхронно довольно эластичные и способные задерживать заряд в ячее продолжительное время — не менее месяца. Представленный факультетом KAIST технический процесс, который базируется на синтетическое выпадение источника из газовой (паровой) фазы, даёт вероятность поочередно формировать изолирующие слои с нужными качествами. Как правило же для производства электроники на гибких подложках применяются технологии с различного рода водянистыми растворителями. С изготовлением флеш-памяти это далеко не помогло.
Относительная конструкция эластичной ячеи NAND-флеш (KAIST)
Сделанный в лабораториях образец флеш-памяти на эластичной подложке программируется усилием 10 В и способен задерживать заряд в ячее 10 лет без подачи питания. Это промышленный эталон. Аналогичную память создатели сделали на стандартной бумаге. В последнее время автоэлектроника врывается в печатную продукцию и, в первую очередь, в паковочные элементы. Это средства, продукты, карты доступа и остальное, что сотворит ряд стандартных реальных случаев не менее информативными.
Опубликовано в рубрике 
