Лента новостей дня

Неприятность урезанной пропускной возможности графической памяти GDDR5 в своё время привела к возникновению графических адаптеров и HPC-ускорителей с буферной памятью HBM (HBM1) и позднее — HBM2. Объединение графического ядра и кристаллов High Bandwidth Memory через промежуточный кремневый пласт сделало возможным как увеличить пропускную дееспособность подсистемы памяти, так и существенно снизить площадь, занимаемую главными элементами карты памяти. В то же самое время и минусов у решений с HBM/HBM2 выяснилось много: большая себестоимость и, следовательно, ограничение объёма памяти, утилитарное неимение возможности смены чипов VRAM в масштабах одного поколения GPU (опять таки из-за особых расходов) и мощная связь от поставщиков. Всё это было основной причиной синхронного производства high-end графических адаптеров с буферной памятью видов GDDR5, GDDR5X (вряд ли полновесная смена GDDR5) и HBM2.

В 1-й половине 2015 года на выручку мало оперативной памяти GDDR5 и не менее дорогой GDDR5X прибудут микросхемы следующего поколения — GDDR6. Изготовлением заключительных занимаются компании «Самсунг» и SK Hynix, и групповые поставки должны стартовать в обозримые месяцы. Все-таки в стоковых картах памяти GDDR6 будет лишь осенью — с первыми анонсами адаптеров Nvidiа GeForce и/либо Титан на 12-нм чипсетах Volta. До того «Самсунг» Электроникс оповещала общественность о собственных проектах по производству микросхем GDDR6 с пропускной возможностью от 14 до 16 Гбит/с на контакт (против предельных 9 Гбит/с у GDDR5 и 10–11,4 Гбит/с у GDDR5X), но SK Hynix объявила 8-Гбит (1-Гбайт) чипсеты GDDR6 с краем пропускной возможности в 16 Гбит/с на контакт.

Битва пресс-релизов между южнокорейскими изготовителями VRAM продолжается и на днях. Среди массы товаров «Самсунг», сподобившихся премии CES 2018 Innovation, отыскалось место и для 16-Гбит (2-Гбайт) микросхемы GDDR6.

««Самсунг» GDDR6 ёмкостью 16 Гбит — быстрейшая и наиболее бюджетная DRAM-память для графических товаров нового поколения. Она обрабатывает картинки и видео с пропускной возможностью 16 Гбит/с на контакт и совместной ПСП в 64 Гигабайт/с, что равносильно передаче объёма 12-и DVD-дисков с Full HD видео за секунду. Новая DRAM может работать при усилии 1,35 В, что гарантирует дополнительное превосходство сравнивая с нынешней графической памятью, которой нужно 1,5 В при пропускной возможности всего 8 Гбит/с на контакт».

Как удалось узнать источнику VideoCardz, вышеприведённое описание отвечает продукту «Самсунг» GDDR6 с маркировкой K4ZAF325BM. 8 подобных микросхем (в общей сложности 128 Гбит либо 16 Гигабайт) гарантируют совместную пропускную дееспособность в 512 Гигабайт/с при 256-битной покрышке памяти, но 12 чипов — 768 Гигабайт/с при 384-битной покрышке. Для аналогии, буферная память HBM2 у карты памяти Radeon RX Vega 64 (и ряда неигровых адаптеров) характеризуется совместной ПСП в 484 Гигабайт/с, но у HPC-ускорителя Тесла V100 — 900 Гигабайт/с. Разумеется, разработка High Bandwidth Memory также не стоит на месте, однако относительная HBM3 очевидно задержится сравнительно GDDR6.