Ноябрь 17th, 2022 
raven000 Перевод изготовления планарной памяти NAND-флеш на технические нормы менее 15 hm является экономически неосновательным. Потому для последующего понижения себестоимости изготовления памяти NAND-типа была избрана двухслойная конструкция. Сегодня все основные компании на рынке флеш-памяти изучили либо приблизились к групповому изготовлению 64-слойных чипов 3D NAND. На очереди выпуск 96-слойных микросхем и, в будущем, с существенно огромным количеством слоёв. В данном есть собственные подводные камни, однако в общем количество кристаллов на пластинке перестало увеличиваться, в то время как ёмкость микросхем улучшается от значения к уровню. Пока, выделяют эксперты, нескончаемо это далеко не может длиться и конец формирования 3D NAND скорее всего ближе, чем далее.
Как заметил создатель и гендиректор компании BeSang Inc Ли Сан-юн (Sang-Yun Lee), но его организация работает на 3D-компоновке чипов, он будет весьма удивлён, если кто-то сумеет организовать выпуск двухслойной 4-Тбит 3D NAND. Организация «Самсунг», как нам известно, в 2016 году обещала начать изготовление 1-Тбит 3D NAND. Компоненты не докладываются, однако это могут быть 96-слойные микросхемы с записью 4-бит в каждую ячейку (QLC).
Микросхемы с 96 пластами могут представлять собой магазин из 2-ух 48-слойных кристаллов 3D NAND, выпуск которых прекрасно отстроен. Как следствие, 4-Тбит чипсет 3D NAND может базироваться на стандартный 64-слойный 512-Гбит микролит, выпуск которых в обозримый год будет преобладающим. Для изготовления 4-Тбит кристалла без повышения посадочной площади понадобятся 512 слоёв. В зависимости от нынешних реалий, которые в видимом будущем важно не видоизменятся, на обработку одной пластинки с 512-слойной 3D NAND понадобится около одного года (от 43 до 53 месяцев). В данной цепочке на производство логики чипсета уходит около 5 месяцев и ещё 5–6 месяцев на производство каждых 64 слоёв (заключительный процесс умножаем на 8). Другими словами, изготовление 512-слойных кристаллов на данный момент показывается экономически неразумным.
Если на обработку любой пластинки с 4-Тбит 3D NAND понадобится год, на обработку пластинки с 16-Тбайт чипами уйдёт около четырёх лет ( Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc)
Показанные выше размышления намекают, что формирование 3D NAND остановится скорее всего прежде, чем позднее. По словам эксперта в 3D-упаковке чипов, память 3D NAND не будет тем прорывом, который принудит забыть о жёстких дисках. Практически себестоимость изготовления 3D NAND лишь в настоящее время пришла к себестоимости изготовления планарной NAND-флеш (в лице 64-слойной 3D NAND). Далее 3D NAND будет немного не менее дешёвопль заменой памяти NAND-типа, но также и лишь.
Горизонтальное масштабирование 3D NAND также не принесёт существенного усовершенствования, так как в действие войдут по меньшей мере 2 отрицательных условия. Прежде всего, горизонт съедается за счёт отверстий от отвесных межслойных объединений. Во-вторых, повышение площади ведёт к экспоненциальному росту значения брака. У памяти 3D NAND также есть и масса иных трудных мест, потому её не стоит понимать как средство, которое на рынке быстрого сохранения данных сделает SSD на самом деле глобальным феноменом.
Опубликовано в рубрике 
